详细参数
型号：IRF7413ATR
制造商：International Rectifier
RoHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：带卷 (TR)
说明：MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
标准包装：4,000
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET?
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.5 毫欧 @ 6.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：79nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1800pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO
制造商：International Rectifier
RoHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求封装：带卷 (TR)
说明：MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
标准包装：4,000
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET?
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.5 毫欧 @ 6.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：79nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1800pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO